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導電型4H-SiC外延晶片
半絕緣型4H-SiC襯底片
襯底尺寸:4~6英寸
晶片厚度:500 μm ± 15 μm
電阻率:≥1E10 Ω·cm
用途:主要用于外延GaN高功率射頻器件,應用于微波射頻領域。
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晶體尺寸:直徑4~6英寸
電阻率:≥1E10 Ω·cm
半絕緣型4H-SiC晶體
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